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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
11.3
16.0
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
3312
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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