RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
71
Autour de 31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
10
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
71
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
5.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
1344
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link