RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
2755
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link