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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.0
16.5
写入速度,GB/s
8.2
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2755
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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