RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
4084
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link