RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3152
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link