RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Comparez
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2155
2653
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link