RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сравнить
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.3
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2155
2653
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Сравнения RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link