RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
49
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
10
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
2003
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link