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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3085
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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