RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
4065
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5402-027.A01LF 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link