RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2875
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link