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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
11.8
15.3
写入速度,GB/s
7.3
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2875
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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