RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
27
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
18
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3607
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link