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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2272
2155
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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