RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3182
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link