Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Note globale
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 32
    Autour de 16% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.8 left arrow 10.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.9 left arrow 7.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 12800
    Autour de 1.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 32
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.8 left arrow 10.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.3 left arrow 8.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2057 left arrow 2386
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons