RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 32
    周辺 16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 10.5
    テスト平均値
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 10.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 2386

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-D8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-D8 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
メモリRAM