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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2665
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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