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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2665
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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