RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3211
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link