RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3211
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link