RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
52
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2584
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link