RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2130
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link