RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
52
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2472
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link