RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
104
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1843
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link