RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
73
104
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1843
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link