RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
52
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
52
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2306
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link