RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
52
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
52
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2306
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link