RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2601
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link