RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3027
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link