RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
3238
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link