RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2789
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link