RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3035
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link