RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link