RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2672
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link