RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2740
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link