RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
63
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
41
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
1512
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link