RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
63
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
41
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
7.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
1512
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link