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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de -84% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
25
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2740
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
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