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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
104
Intorno -197% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
35
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2672
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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