RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
104
Около -197% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2672
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link