RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
104
Por volta de -197% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2672
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link