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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
104
左右 -197% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
35
读取速度,GB/s
3,192.0
15.0
写入速度,GB/s
2,404.5
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2672
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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