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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
52
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
52
读取速度,GB/s
9.8
20.5
写入速度,GB/s
8.1
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2472
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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