RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
52
Intorno 2% latenza inferiore
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
52
Velocità di lettura, GB/s
9.8
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2472
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link