RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link