RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3035
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link