Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 37
    Wokół strony -32% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    18.1 left arrow 15.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.8 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.4 left arrow 18.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 14.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3075 left arrow 3564
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania