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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3564
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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